IRFH5210TRPBF

1. Төмөн өткөргүч жоготуулар
2.Термикалык диссипацияны жакшыртат
3.Ишенимдүүлүктү жогорулатуу
4.Күчтүн тыгыздыгы жогорулады
5.Multi-Vendor шайкештиги
6.Easier Manufacturing
7. Экологиялык жактан таза
8.Ишенимдүүлүктү жогорулатуу

Өндүрүүчү Бөлүмдүн номери: IRFH9310TRPBF
Өндүрүүчү / БрендInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Сүрөттөмөнүн бир бөлүгү:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Коргошунсуз статусу / RoHS статусу: коргошунсуз / RoHS ылайыктуу
Запастын абалы: Жаңы оригиналдуу, 12000 даана запас бар.
Жеткирүү: Гонконг
Жеткирүү жолу: DHL / Fedex / TNT / UPS
Продукт атрибуту атрибуту Наркы Атрибутун тандоо
Бөлүмдүн номери IRFH9310TRPBF
Өндүрүүчү / Бренд Эл аралык түзөткүч (Infineon Technologies)
Запастын саны 12000 даана Запас
Категория Дискреттик жарым өткөргүч продуктылары > Транзисторлор - FETs, MOSFETs - Жалгыз
Сүрөттөмө MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Коргошунсуз статусу / RoHS статусу: коргошунсуз / RoHS ылайыктуу
Туурасы - Ичинде -55°C ~ 150°C (TJ)
Чыңалуу/Ток - Чыгуу 1 PQFN (5x6)
Толеранттуулук 5250pF @ 15V
Tail түрү P-канал
Кадам бурчу MOSFET (металл оксиди)
Температураны кыскартуу Infineon Technologies
SFP/XFP түрү ±20V
HEXFET® алыстан башкаруу мүмкүнчүлүгү
Кадам - ​​Кабель бетине орнотуу
Башка ысымдар коргошунсуз / RoHS ылайыктуу
Башка ысымдар 1
Осциллятор түрү 8-PowerVDFN
DAC саны 30V
Суюктуктун минималдуу салыштырма салмагы -
Жупташуу багыты 4,6 мОм @ 21A, 10V
Өндүрүүчү Бөлүмдүн номери IRFH9310TRPBFDKR-ND
Узундугу - Barrel Digi-Reel®
Лампанын түсү 4.5V, 10V
Жогорку каптал чыңалуу - Макс (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Функция 58nC @ 4.5V
Катушканын күчү активдүү
Канал сыйымдуулугу (CS(өчүрүү), CD(өчүрүү)) 3.1W (Ta)
Card Reader түрү 2.4V @ 100µA
Өзгөчөлүктөрү жана артыкчылыктары
Өзгөчөлүктөрү Натыйжадагы пайдалар
Төмөн RDSon (≤ 4.6mΩ) Төмөн өткөргүч жоготуулар
Өнөр жай-стандартты PQFN пакетинин көп сатуучу шайкештиги
RoHS ылайыктуу Курамында коргошун жок, бром жок жана экологиялык жактан таза галоген жок
натыйжа берет
Эскертүү
Форма саны
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm лента жана ролик 4000
Заказ берилүүчү бөлүктүн номери Пакеттин түрү Стандарттык пакет
VDS -30 В
RDS(күйгүзүлгөн) макс
(@VGS = 10V) 4,6 мОм
Qg (типтүү) 110 nC
RG (типтик) 2,8 Ом
ID
(@TA = 25°C) -21 А
Абсолюттук максималдуу рейтингдер
Параметр бирдиктери
VDS Dren-to-Source Voltage
VGS Gate-to-Source Voltage
ID @ TA = 25°C Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C үзгүлтүксүз агып чыгуу агымы, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C үзгүлтүксүз агып чыгуу агымы, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Үзгүлтүксүз агызуучу ток, VGS @ -10V (Пакет чектелген)
IDM импульстук дренаждык ток
PD @TA = 25°C Кубаттын бузулушу
PD @ TA = 70 °C Power Dissipation
Сызыктуу азайтуу фактору В/°C
TJ Operating Junction жана
TSTG сактоо температурасы диапазону
Кайталануучу рейтинг;импульстун туурасы макс менен чектелген.кошулуу температурасы.
Баштапкы TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Импульстун туурасы ≤ 400μs;милдет цикли ≤ 2%.
1 дюймдук чарчы жез тактага орнотулганда.
Rθ болжол менен 90°C TJ менен өлчөнөт.
ДИЗАЙНДЫК ЖАРДАМ үчүн ГАНА, өндүрүштүк сыноодон өтүүгө болбойт.